炭化ケイ素(SiC)ウェハ研磨・研磨業界は、現在第三世代半導体産業が急成長する重要な段階にあります。炭化ケイ素材料はモース硬度9.2以上の極めて高い硬度特性を持つため、加工難易度が非常に高く、研磨プロセスにはナノレベルの精度と長時間安定性が要求されます。
炭化ケイ素(SiC)ウェハ研磨・研磨業界は、現在第三世代半導体産業が急成長する重要な段階にあります。炭化ケイ素材料はモース硬度9.2以上の極めて高い硬度特性を持つため、加工難易度が非常に高く、研磨プロセスにはナノレベルの精度と長時間安定性が要求されます。